با توجه به اهمیت تهیه لایههای نازک نانوساختار نیمه هادیهای نوری گروه II-VI از طریق روشهای ارزان و ساده شیمیایی، در کار پژوهشی حاضر ضمن استفاده از روش لایه نشانی شیمیایی CBD، در راستای کنترل رشد چنین لایههایی، تاثیر غلظت عامل کمپلکسساز نمک آمونیوم بر خواص ساختاری و نوری لایههای نازک CdS تهیه شده به این روش، توسط تکنیکهای آنالیز XRD، SEM، AFM و UV-Visible مورد مطالعه و بررسی قرار گرفت. نتایج این تحقیق نشان داد که با افزایش غلظت عامل کمپلکسساز از حد معینی، مورفولوژی و اندازه ذرات، زبری سطح، ضخامت لایه، تراکم ذرات بر سطح زیرلایه و در نهایت خواص نوری لایهها تحت تاثیر قرار میگیرد. نتایج بطور کلی حاکی از آن است که با تنظیم بهینه عامل کمپلکسساز، امکان کنترل برخی مشخصههای ساختاری در چنین لایههایی که بتواند منجر به خواص نوری مناسب بشود، وجود دارد.
صرافی, محمد حسن, & یوزباشی, امیرعلی. (1393). تأثیر غلظت عامل کمپلکسساز نمک آمونیم بر خواص ساختاری و نوری لایه نازک نانوساختار سولفید کادمیم تهیه شده به روش نشست شیمیایی. نانومواد, 6(18), 101-108.
MLA
محمد حسن صرافی; امیرعلی یوزباشی. "تأثیر غلظت عامل کمپلکسساز نمک آمونیم بر خواص ساختاری و نوری لایه نازک نانوساختار سولفید کادمیم تهیه شده به روش نشست شیمیایی". نانومواد, 6, 18, 1393, 101-108.
HARVARD
صرافی, محمد حسن, یوزباشی, امیرعلی. (1393). 'تأثیر غلظت عامل کمپلکسساز نمک آمونیم بر خواص ساختاری و نوری لایه نازک نانوساختار سولفید کادمیم تهیه شده به روش نشست شیمیایی', نانومواد, 6(18), pp. 101-108.
VANCOUVER
صرافی, محمد حسن, یوزباشی, امیرعلی. تأثیر غلظت عامل کمپلکسساز نمک آمونیم بر خواص ساختاری و نوری لایه نازک نانوساختار سولفید کادمیم تهیه شده به روش نشست شیمیایی. نانومواد, 1393; 6(18): 101-108.